近日，中博芯攜帶6英寸外延片亮相中關村論壇展覽，作為一家專業從事氮化物寬禁帶半導體材料和芯片研發、生產與服務的高技術企業，其目前主要提供UVA、UVB、UVC等全波段UV-LED系列產品和適用于功率電子和射頻電子器件的Si基GaN外延片。

　　制備出高質量的p型AlGaN超晶格

　　據了解，中博芯此前創新發展了一種“脫附控制超薄層外延”方法，成功解決了亞納米厚度高Al組分AlGaN外延層的可控制備難題，實現了厚度為3個單原子層(約為0.75 nm)的高Al組分AlGaN外延層，并在此基礎上制備出高質量的p型AlGaN 短周期超晶格，該方法有利于Mg原子占據Al、Ga原子脫附后產生的空位而并入晶格，可有效增加AlGaN外延層中Mg的摻雜濃度。

基于脫附控制方法外延生長的p型AlGaN超晶格

　　同時成功制備出藍寶石襯底上低缺陷密度AlN模板，XRD搖擺曲線半高寬(002)面≤150 arcsec，(102)面≤ 250 arcsec，膜厚≥2μm，面內均勻性≤ 1.5%，裂紋≤1 mm。

　　除了在外延底研發上有進展，中博芯也透露，目前具有完備的芯片生產線，具備批量生產1020mil、2020mil以及更高規格UVC-LED芯片的能力，另外275nm 2020芯片裸芯狀態下光輸出功率達到15mW以上，同時在100mA工作電流下，工作電壓低于5.8V。

　　值得注意的是在2022年7月，其宣布完成5000萬的A輪融資。中博芯表示2023將繼續修煉內功，繼續技術攻關和產品迭代，夯實基礎;同時不斷開拓市場，給客戶提供性能更好，更具性價比的第三代半導體氮化物材料產品。

編輯：何美玲