日前，東京都立大學大學廣瀨靖教授等發表一篇名為《透過深紫外光的新型電極材料的開發 -對高效率深紫外光電子器件的期待》的研究報告。

　　報告顯示，他們以SnO?和GeO?的固溶體為基材，開發了一種新型透明電極材料(Ta-added Sn??x Ge x O? )，該材料顯示出比現有透明電極材料更好的抗深紫外光性能，同時還成功地在具有實用價值的氮化鋁上形成了高性能的摻雜Ta的Sn 1?x Ge x O?薄膜。

圖 1(a) Sn? - xGexO?的晶體結構。(b)在藍寶石( Al?O? ) 襯底上生長的Sn1 - xGexO?薄膜的X射線衍射圖。(ce) (c) a 軸長度、(d) c 軸長度和 (e) 合成的Sn1 ? xGexO? 薄膜的晶胞體積。它隨著成分的變化成比例變化，可以看出SnO?和GeO?處于固溶體中。

　　其解釋，當使用脈沖激光沉積法在藍寶石襯底上生長具有不同SnO?和 GeO?混合比例的薄膜時，當 GeO?的比例在70% 范圍內時，它們呈現出金紅石晶體結構生長出Sn? - xGexO?薄膜(圖1)，而且隨著GeO?的比例增加，對深紫外光的透射率也在增加。

圖2 (a)不同GeO?比例(x)的Sn??xGexO?薄膜的透光率(T)和反射率(R)光譜，(b)新紫外區的透光率放大圖。

　　另外在實驗過程中添加少量鉭 (Ta) 作為施主雜質以賦予該固溶體薄膜導電性，在GeO?比例約為30% 或 30%以下被表達(圖 3)。并優化Ta添加量的Sn??x Ge x O?薄膜在深紫外光下的透明電導率優于錫摻雜氧化銦。

圖3 (a) 光學透射光譜、(b) 帶隙和(c) Ta 摻雜Sn1- xGexO2薄膜的薄層電阻(GeO?比例約為30%)。

　　其介紹，Ta-doped Sn??x Ge x O?除了對深紫外光具有優異的透明導電性外，還具有可以在實用的LED材料氮化鋁上形成的優點。預計這項研究的結果將提高深紫外光電子器件在衛生、醫療和半導體加工等應用的效率。

編輯：嚴志祥